MOSFET继电器的兴起

MOSFET继电器的兴起

       通过晶体管来实现固态开关,MOSFET继电器是通过使用半导体基板来实现。到目前为止,使用广泛的基片是硅片,与晶体管的结构有所不同。对交流开关,尤其是零压开关时,优先选择三端双向可控硅开关(或SCR整流)。MOSFET一般采用平面拓扑结构进行直流开关,IGBT则可以用来控制交流、直流开关。然而,这些方法都会由于通道的导通电阻而损失。这种损失表现为:需要释放的多余热量,因此必须使用散热器,然后增加空间需求和物料清单。

       MOSFET继电器超越了平面制造工艺(基于单一结),具有一系列纵向p-n结构。然后,在多条并行路径上实现了共享导通电阻,从而减小了总导通电阻。从上个世纪90年代开始,英飞凌一直是超结MOSFET的领航者,并一直在发展这种技术。和其它晶体管拓扑相比,MOSFET继电器有明显的优越性,尤其是在面积导通电阻方面。这种方法就能减少损耗,也就是说,它不但便宜,而且可以在不需要散热的情况下,切换到更高的电压和电流的应用。

       利用CoolMOS™7技术,英飞凌成为RDS(on)*A的领航者。此外,英飞凌还将推出一项新技术——CoolMOS™S7,这是一项可望提供较低的RDS*A,并且可以通过调整开关损耗来降低导通电阻。这完全符合固体继电器和断路器的性能要求:继电器和断路器就不需要高频开关。